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作者(中文):劉智瑋
作者(外文):Liu, Chih-Wei
論文名稱(中文):閘極介面工程對鍺互補式金氧半鰭式電晶體電特性研究
論文名稱(外文):Interfacial Layer Engineering in Gate Stack on Electrical Characteristics in Ge CMOS FinFET
指導教授(中文):張廖貴術
指導教授(外文):ChangLiao, Kuei-Shu
口試委員(中文):趙天生
李耀仁
口試委員(外文):Chao, Tien-Sheng
Lee, Yao-Jen
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:工程與系統科學系
學號:107011564
出版年(民國):109
畢業學年度:109
語文別:中文
論文頁數:104
中文關鍵詞:鍺、鰭式電晶體、閘極、介面層、互補式金氧半電晶體
外文關鍵詞:Ge、FinFET、Gate、Interfacial Layer、CMOS
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