利用鈷取代鎢作為替代金屬閘極材料以改善FinFET製程之MOS電容__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	蔡羽璇
作者(外文):	Tsai, Yu-Hsuan
論文名稱(中文):	利用鈷取代鎢作為替代金屬閘極材料以改善FinFET製程之MOS電容
論文名稱(外文):	Replacing Tungsten by Cobalt as Metal Gate Material for Advanced FinFET Process
指導教授(中文):	巫勇賢
指導教授(外文):	Wu, Yung-Hsien
口試委員(中文):	唐英瓚吳永俊
口試委員(外文):	Tang, Ying-Tsang Wu, Yung-Chun
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	107011543
出版年(民國):	109
畢業學年度:	109
語文別:	中文
論文頁數:	55
中文關鍵詞:	閘極工程、金氧半電容、鎢、鈷
外文關鍵詞:	Metal gate stack、MOSCAP、Tungsten、Cobalt
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