閘堆疊與通道製程對多晶矽與多晶鍺電荷捕捉式快閃記憶體元件之操作特性研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	蔣德佑
作者(外文):	Chiang, Te-Yu
論文名稱(中文):	閘堆疊與通道製程對多晶矽與多晶鍺電荷捕捉式快閃記憶體元件之操作特性研究
論文名稱(外文):	Processes of Gate Stack and Channel on Operation Characteristics of Poly Si/Ge Charge-Trapping Flash Memory Devices
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	ChangLiao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	黃文賢沈昌宏
口試委員(外文):	Huang, Wen-Hsien Shen, Chang-Hong
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	107011540
出版年(民國):	109
畢業學年度:	109
語文別:	中文
論文頁數:	105
中文關鍵詞:	快閃記憶體、多晶矽、多晶鍺、電荷捕捉式、穿隧氧化層
外文關鍵詞:	Flash memory、Poly-Si、Poly-Ge、Charge trapping、Tunneling layer
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