以多晶矽/多晶鍺和非晶氧化半導體應用於互補式金屬氧化半導體之三維積體電路__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	邱柏誠
作者(外文):	Chiu, Po-Chen
論文名稱(中文):	以多晶矽/多晶鍺和非晶氧化半導體應用於互補式金屬氧化半導體之三維積體電路
論文名稱(外文):	Poly-Si/Ge and Amorphous Oxide Semiconductor CMOS for 3D-IC Applications
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	ChangLiao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	黃文賢沈昌宏
口試委員(外文):	Huang, Wen-Xian Shen, Chang-Hong
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	107011538
出版年(民國):	109
畢業學年度:	109
語文別:	中文
論文頁數:	99
中文關鍵詞:	三維積體電路、互補式金氧辦電晶體、多晶矽、非晶氧化半導體、多晶鍺
外文關鍵詞:	3D-IC、CMOS、Poly-Si、Amorphous oxide semiconductor、Poly-Ge
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