相容於奈米高介電金屬閘極製程之多次寫入記憶體研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	朱哲緯
作者(外文):	Chu, Che-Wei
論文名稱(中文):	相容於奈米高介電金屬閘極製程之多次寫入記憶體研究
論文名稱(外文):	A Twin Bit AND-Type Multiple-Time-Programming Memory Cell by Nano-scaled High–k Metal Gate Process
指導教授(中文):	金雅琴
指導教授(外文):	King, Ya-Chin
口試委員(中文):	林崇榮施教仁
口試委員(外文):	Lin, Chrong-Jung Shi, Jiao-Ren
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	106063701
出版年(民國):	110
畢業學年度:	109
語文別:	中文
論文頁數:	47
中文關鍵詞:	高介電閘極製程、可多次寫入記憶體、浮動閘極
外文關鍵詞:	High-K metal gate、Multiple-Time-Programming、Floating Gate
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