探討標準CMOS製程中以橫向寄生雙極性電晶體實現低崩潰電壓單光子崩潰電晶體之可行性__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	洪鉦傑
作者(外文):	Hung, Cheng-Chieh
論文名稱(中文):	探討標準CMOS製程中以橫向寄生雙極性電晶體實現低崩潰電壓單光子崩潰電晶體之可行性
論文名稱(外文):	Research on the Feasibility of Single-Photon-Avalanche-Transistor(SPAT) with Low Breakdown Voltage by Lateral Parasitic BJT in Standard CMOS Technology
指導教授(中文):	徐永珍
指導教授(外文):	Hsu, Klaus Yung-Jane
口試委員(中文):	賴宇紳江雨龍
口試委員(外文):	Lai, Yu-Sheng Jiang, Yeu-Long
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	106063564
出版年(民國):	109
畢業學年度:	108
語文別:	中文
論文頁數:	60
中文關鍵詞:	單光子崩潰電晶體、低操作電壓、低功耗、CMOS標準製程、橫向寄生電晶體、高偵測率光偵測器
外文關鍵詞:	Single Photon Avalanche Transistor、Low Operation Viltage、Low Power Consumption、CMOS Standard Process、Lateral Parasitic Transistor、High Sensitivity Photodetector
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