應用於微波/毫米波之矽基板氮化鎵無金高電子遷移率電晶體__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	吳宏騏
作者(外文):	Wu, Hung-Chi
論文名稱(中文):	應用於微波/毫米波之矽基板氮化鎵無金高電子遷移率電晶體
論文名稱(外文):	Au-Free GaN-on-Si HEMTs for Microwave/Millimeter-Wave Applications
指導教授(中文):	徐碩鴻
指導教授(外文):	Hsu, Shuo-Hung
口試委員(中文):	連羿韋鄒權煒
口試委員(外文):	Lian, Yi-Wei Tsou, Chuan-Wei
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	106063554
出版年(民國):	109
畢業學年度:	108
語文別:	中文
論文頁數:	75
中文關鍵詞:	無金製程、矽基板氮化鎵、接觸電阻、低溫退火、異質介面場效電晶體、微波
外文關鍵詞:	Au-free、GaN-on-Silicon、contact resistance、low temperature annealing、HEMT、microwave
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