前瞻金屬氧化物與低溫多晶矽薄膜電晶體開發與物理機制探討__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	凃玉發
作者(外文):	Tu, Yu-Fa
論文名稱(中文):	前瞻金屬氧化物與低溫多晶矽薄膜電晶體開發與物理機制探討
論文名稱(外文):	Development and Physical Mechanisms Establishment of Advanced Metal Oxides and Low-Temperature Polysilicon Thin-Film Transistors
指導教授(中文):	連振炘張鼎張
指導教授(外文):	Lien, Chen-Hsin Chang, Ting-Chang
口試委員(中文):	徐碩鴻莊文献褚立新
口試委員(外文):	Hsu, Shuo-Hung Chuang, Wen-Hsien Chu, Li-Hsin
學位類別:	博士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	106063529
出版年(民國):	113
畢業學年度:	112
語文別:	英文
論文頁數:	105
中文關鍵詞:	薄膜電晶體、銦鎵鋅氧、低溫多晶矽、熱載子效應、負偏壓照光不穩定性、正偏壓不穩定性、水氣、自熱效應、可撓、機械應力
外文關鍵詞:	thin-film transistor (TFT)、indium–gallium–zinc oxide (IGZO)、low-temperature polysilicon (LTPS)、hot-carrier、negative bias illumination stress、positive bias stress、moist environment、self-heating stress、flexible、mechanical bending
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