應用鰭式場效電晶體後段銅製程之三維堆疊蝕刻孔電阻式隨機選取記憶體__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	林承寯
作者(外文):	Lin, Cheng-Jun
論文名稱(中文):	應用鰭式場效電晶體後段銅製程之三維堆疊蝕刻孔電阻式隨機選取記憶體
論文名稱(外文):	3D Stackable Via RRAM Cells by Cu BEOL Process in FinFET CMOS Technologies
指導教授(中文):	林崇榮
指導教授(外文):	Lin, Chrong-Jung
口試委員(中文):	金雅琴施教仁
口試委員(外文):	King, Ya-Chin Shih, Jiao-Ren
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	106063515
出版年(民國):	109
畢業學年度:	108
語文別:	中文
論文頁數:	78
中文關鍵詞:	電阻式記憶體、邏輯嵌入式記憶體、物理不可複製函數
外文關鍵詞:	Resistive Random Access Memory、FinFET Logic Compatible、Physical Unclonable Function
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