高效能鍺互補式金氧半元件之界面工程研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

圖書館首頁| 網站地圖| 首頁| 本站說明| 聯絡我們| 相關資源| 台聯大論文系統| 操作說明 | English

帳號：guest(18.225.195.163) 離開系統

字體大小：

字級放大

字級縮小

預設字形

詳目顯示

第 1 筆 / 共 1 筆

第一頁

上一頁

下一頁

最後一頁

/1頁

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士論文系統

、以作者查詢全國書目

論文基本資料
電子全文

作者(中文):	阮敦寶
作者(外文):	Ruan, Dun-Bao
論文名稱(中文):	高效能鍺互補式金氧半元件之界面工程研究
論文名稱(外文):	Interfacial Layer Engineering for High Performance Ge CMOS Device
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	劉柏村李耀仁趙天生崔秉鉞
口試委員(外文):	Liu, Po-Tsun Lee, Yao-Jen Chao, Tien-Sheng Tsui, Bing-Yue
學位類別:	博士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	105011871
出版年(民國):	111
畢業學年度:	110
語文別:	中文
論文頁數:	148
中文關鍵詞:	純鍺、金氧半電晶體、鰭式電晶體、界面層處理、超臨界流體、互補式元件
外文關鍵詞:	Ge、MOSFET、FinFET、Interfacial layer treatment、Supercritical fluid treatmen、CMOS
相關次數:	推薦:0 點閱:46 評分: 下載:0 收藏:0

(此全文未開放授權)
電子全文
中英文摘要

推文
推薦
評分
引用網址
轉寄

第一頁

上一頁

下一頁

最後一頁

相關論文

1.	以界面工程與超臨界流體製程改善矽鍺鰭式場效電晶體之電特性研究
2.	整合新穎表面鈍化技術與結晶態高介電常數閘極介電層之高效能鍺金氧半元件
3.	以高介電層金屬閘堆疊工程製作高遷移率與低等效氧化層厚度之鍺金氧半電晶體研究
4.	富金屬界面層與合金閘介電層和真空退火與低溫氧化對鍺n型金氧半電晶體之影響研究
5.	閘極介面工程對鍺互補式金氧半鰭式電晶體電特性研究
6.	應用真空退火與電漿處理於閘界面層以改善鍺n/p型鰭式電晶體電特性之研究
7.	N型魚鰭式場效電晶體熱載子效應研究
8.	核電廠電子卡片關鍵元件老化評估及可靠度研究
9.	0.35 μm CMOS紅外線感測器之開發
10.	應用於鰭式場效電晶體邏輯製程之可調式非揮發性邏輯閘研究
11.	16奈米邏輯製程之耦合浮動閘極三維感測電子束陣列
12.	應用於先進鰭式電晶體邏輯製程　三維堆疊超高密度內嵌電阻式記憶體陣列之研究
13.	單體三維積體電路CMOS中氧化物半導體N型電晶體與P型鰭式電晶體之製程研究
14.	鉿金屬氧化物閘介電層金氧半元件之電性與可靠度特性研究
15.	快閃記憶體操作效能提昇之研究

簡易查詢 | 進階查詢 | 論文瀏覽 | 熱門排行 | 管理/審核者登入