具Ti-Ge-O介面層之N型鍺接觸電阻研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
電子全文

作者(中文):	凃銘峻
作者(外文):	Tu, Ming-Chun
論文名稱(中文):	具Ti-Ge-O介面層之N型鍺接觸電阻研究
論文名稱(外文):	A study on n-Ge contact with Ti-Ge-O interfacial layer
指導教授(中文):	吳文發張廖貴術
指導教授(外文):	Wu, Wen-Fa ChangLiao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	吳永俊蘇俊榮
口試委員(外文):	Wu, Yung-Chun Su, Jyun-Rong
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	105011579
出版年(民國):	109
畢業學年度:	108
語文別:	中文
論文頁數:	62
中文關鍵詞:	接觸電阻、N型鍺、氧電漿、M-I-S結構、介面氧化層、費米能階釘扎、蕭特基能障、接觸電阻率、特徵接觸電阻、歐姆接觸
外文關鍵詞:	contact resistance、specific contact resistance、contact resistivity、n-Ge、M-I-S structure、Ti-Ge-O interfacial layer、Fermi level pinning、Schottky barrier、Ohmic contact
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