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作者(中文):林雨德
作者(外文):Lin, Yu-De
論文名稱(中文):可微縮的二維及三維氧化鋯鉿鐵電記憶體：工程化途徑與可靠度分析
論文名稱(外文):Scalable 2D/3D HfZrOx Ferroelectric Random Access Memory Technology: Engineering Approaches and Reliability
指導教授(中文):林崇榮
金雅琴
指導教授(外文):LIN, CHRONG-JUNG
KING, YA-CHIN
口試委員(中文):侯拓宏
葉文冠
施教仁
口試委員(外文):Hou, Tuo-Hung
Yeh, Wen-Kuan
Shih, Jiaw-Ren
學位類別:博士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:電子工程研究所
學號:104063807
出版年(民國):109
畢業學年度:109
語文別:英文
論文頁數:83
中文關鍵詞:鐵電、記憶體、氧化鋯鉿、可靠度、工程
外文關鍵詞:Ferroelectric、memory、HfZrOx、Reliability、Engineering
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