氧化銦錫/p型氮化鎵於新穎氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製備與研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	張智堯
作者(外文):	Chang, Chih-Yao
論文名稱(中文):	氧化銦錫/p型氮化鎵於新穎氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製備與研究
論文名稱(外文):	The Fabrication and Studies of Indium-Tin-Oxide/P-GaN for Novel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
指導教授(中文):	黃智方
指導教授(外文):	Huang, Chih-Fang
口試委員(中文):	辛裕明吳育任吳添立趙得勝
口試委員(外文):	Hsin, Yue-Ming Wu, Yuh-Renn Wu, Tian-Li Chao, Te-Sheng
學位類別:	博士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	103063547
出版年(民國):	112
畢業學年度:	111
語文別:	英文
論文頁數:	154
中文關鍵詞:	氮化鎵、高電子遷移率電晶體、氧化銦錫、p型氮化鎵
外文關鍵詞:	Gallium Nitride、High Electron Mobility Transistor、Indium-Tin-Oxide、p-GaN
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