十六奈米鰭式電晶體閘堆疊之沉積與退火製程影響研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	林志儒
作者(外文):	Lin, Chih-Ju
論文名稱(中文):	十六奈米鰭式電晶體閘堆疊之沉積與退火製程影響研究
論文名稱(外文):	Deposition and Annealing Processes of Gate Stacks on 16 nm FinFETs
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	ChangLiao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生謝嘉民
口試委員(外文):	Chao,Tien-Sheng Shieh, Jia-Min
學位類別:	碩士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	103011701
出版年(民國):	106
畢業學年度:	105
語文別:	中文
論文頁數:	104
中文關鍵詞:	閘極工程、氧化鉿、金屬閘極、沉積後退火
外文關鍵詞:	gate stack engineering、HfO2、metal gate、PDA
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