互補式金屬氧化物半導體後端製程之被動元件特性及可靠度分析研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	林明德
作者(外文):	Lin, Ming-Te
論文名稱(中文):	互補式金屬氧化物半導體後端製程之被動元件特性及可靠度分析研究
論文名稱(外文):	Characterization and Reliability Study of Passive Components in CMOS BEOL Technology
指導教授(中文):	金雅琴
指導教授(外文):	King, Ya-Chin
口試委員(中文):	林韋丞盧達生胡璧合施教仁
口試委員(外文):	Lin, Wei-Cheng Lu, Darsen Hu, Pi-Ho Shih, Jiaw-Ren
學位類別:	博士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	電子工程研究所
學號:	102063804
出版年(民國):	112
畢業學年度:	111
語文別:	英文
論文頁數:	194
中文關鍵詞:	可靠度、半導體、後段製程、低介電質、電流、電容、多晶矽、電阻、銅
外文關鍵詞:	Reliability、Semiconductor、Back end of line、Low-k dielectric、Current、Capacitance、Polysilicon、Resistance、Cu
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