矽鍺/鍺掩埋式通道及低溫沉積介電層對電荷儲存式快閃記憶體之特性研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統

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論文基本資料
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作者(中文):	方星凱
作者(外文):	Fang, Hsin-Kai
論文名稱(中文):	矽鍺/鍺掩埋式通道及低溫沉積介電層對電荷儲存式快閃記憶體之特性研究
論文名稱(外文):	SiGe/Ge Buried Channel and Low Temperature-Deposited Dielectrics on Characteristics of Charge-trapping Flash Memory Devices
指導教授(中文):	張廖貴術
指導教授(外文):	ChangLiao, Kuei-Shu
口試委員(中文):	趙天生謝嘉民沈昌宏黃文賢
口試委員(外文):	Chao, Tien-Sheng Shieh, Jia-Min Shen, Chang-Hong Huang, Wen-Hsien
學位類別:	博士
校院名稱:	國立清華大學
系所名稱:	工程與系統科學系
學號:	102011802
出版年(民國):	110
畢業學年度:	109
語文別:	英文
論文頁數:	133
中文關鍵詞:	電荷陷阱式、多晶鍺、能帶工程、快閃記憶體
外文關鍵詞:	charge-trapping、poly-Ge、bandgap-engineering、flash-memory
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